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中国科学院微电子研究所专利:电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置
中国科学院微电子研究所 专利 电感耦合 等离子体线圈 等离子体 注入装置
2023/7/10
PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究
等离子体刻蚀 锆钛酸铅 凝胶-溶胶工艺
2009/6/5
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的...