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搜索结果: 1-4 共查到半导体技术 等离子体相关记录4条 . 查询时间(0.214 秒)
中国科学院微电子研究所专利:电感耦合等离子体线圈及等离子体注入装置
2010年1月18日,由中科院等离子体研究所承担的ITER FEEDER超导馈线系统电流引线项目——ITER高温超导68千安大电流引线成功进行了稳态与快变循环脉冲运行测试。本次实验是在引入流量、压力、精确测量反馈、温度的自动控制策略,模拟未来ITER高温超导电流引线实际运行情况下进行的。实验结果获得了ITER国际组的认可。ITER 电流引线专家顾问组YiFeng Yang教授全程指导了这次实验并对...
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的...
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10%的O2对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al0.27...

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