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2015年8月27-29日，“2015年中国原子层沉积技术交流与学术研讨会”在杭州成功举办。本次研讨会由中国科学院微电子研究所、复旦大学主办，浙江大学硅材料国家重点实验室承办，来自全国各地近百位知名教授、专家学者参加了研讨会。本次研讨会旨在为本领域专家学者提供了解国内外ALD工艺、前驱体源和设备技术等方面最新发展动态的交流平台，进一步推动我国ALD技术的快速发展。
2011年 9月1日上午8:30在集成技术中心杨富华主任在所学术会议中心围绕原子层沉积（Atomic Layer Deposition）技术做了精彩的报告。原子层沉积技术是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基底上化学吸附并反应而形成薄膜的一种方法，可用于制备高质量介质膜与光学膜。杨富华主任针对它在沉积膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面优势做了近一个小时详细的讲解。随后，材料中心张...
2009年11月24日，芬兰倍耐克公司（Beneq）李烁工程师来我所进行了“原子层沉积技术及应用”的学术介绍，并与三室师生进行了热烈的讨论与交流。
基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件
有机电子学 双稳态开关 交叉存储器
2008/10/10
采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜，并进行了红外、紫外光谱表征. 利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件. 研究发现，Ti/AgTCNQ/Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性. 将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3.8~5V，将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3.5~-4.4V，与通常的CuTCNQ器件相比较小. 这种基于AgTCNQ交叉结构的有...