搜索结果: 31-42 共查到“半导体技术 半导体激光”相关记录42条 . 查询时间(0.151 秒)
设计并外延生长了具有高温度稳定性的InAlGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器，用于解决852 nm半导体激光器在高温环境下工作时的波长漂移问题。基于理论模型，计算并模拟对比了InAlGaAs, InGaAsP, InGaAs和GaAs量子阱的增益及其增益峰值波长随温度的漂移，结果显示,采用In0.15Al0.11Ga0.74As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰...
脉冲半导体激光束并合参数研究
脉冲半导体激光器 光束并合 距离选通成像
2016/9/1
采用光束并合的方法可以提高脉冲半导体激光器峰值功率以及远场光斑的均匀性，从而提高激光主动成像系统的作用距离，并实现系统的小型化。首先应用指数高斯光束传输模型推导了并合光束的远场能量分布，并采用Matlab 仿真软件对影响光束并合效果的各激光器间轴线夹角、各激光器延迟时间以及并合激光器的间距等参数进行研究，最后进行光束并合实验，获得了1.5 km 外目标的选通成像图像，对比了不同并合激光数目对成像性...
半导体激光器稳频技术
半导体激光器 频率稳定 主动稳频 参考频率
2016/8/30
窄线宽稳频激光器在精密干涉测量、光学频率标准、激光通信、激光陀螺、激光雷达、基本物理常数测量和冷原子系统等研究领域有着广泛的应用。自由运转的半导体激光器每天的频率漂移量可以达到GHz，因此研究半导体激光器的稳频具有十分重要的意义。以780 nm的半导体激光器稳频为例，介绍了目前广泛使用的各种半导体激光稳频技术的基本原理及试验方案，如消多普勒饱和吸收光谱稳频技术、消多普勒双色谱稳频技术、调制转移谱稳...
半导体激光器及发光管热特性分析仪
半导体激光器 发光管 热特性
2008/10/14
该产品是测量半导体激光器与发光管温升及热阻的专用设备，自动测量程度高，所有操作全部由计算机界面控制。该分析仪经北京市科委组织的专家鉴定，已达到国内领先水平，部分指标优于国外的同类设备。
该器件系利用半导体激活介质具有极高增益的特点，对输入的微弱光信号进行直接的光放大。具有高增益、低噪声、频带宽的特点，可以在光纤通信系统中作为中继放大、前置放大器或双向放大器以及在相干通信系统中作为多信道放大器。其主要指标为：光纤－光纤（单模）净增益14～17dB；增益带宽±20nm；中心波长1.3um；输出信噪比大于30dB（输入光功率为-30～35dBm）。
半导体激光器电源的保护器
半导体激光器 电源 保护器
2008/10/13
一种半导体激光器电源的保护器，主要用于半导体激光器驱动电源中对半导体激光器的保护。半导体激光器的驱动电源回路通过三只限流电阻串联组成的回路输出工作电流。继电器同第二限流电阻并联，并通过继电器两常开触点输出电流。有两只互锁开关分别控制继电器启动电路和予置负载。两只互锁开关总是一闭合另一断开。所以能够使得驱动电流源回路的工作开关与驱动开关分开，半导体激光器在不工作时两极短接，永远处于安全状态。
半导体激光器光纤模块耦合
半导体激光器 光纤器件 光纤耦合模块
2008/9/26
系统地研究了光纤制造工艺及光纤性能，攻克了MCVD工艺电高温快速沉积、预制棒炸裂、超大芯径片、光纤强度等难题。研制成功了大功率半导体激光器耦合及传输专用光纤系列。该光纤具有耦合率高、芯径比大、损耗低、强度高、光纤耦合头易于处理及成型，主要技术性能指标达到国外同期产品水平，填补了国内空白。
减反膜有效性及镀膜半导体激光特性的研究
减反膜 半导体激光 载波
2008/9/3
本项目根据LD的特性研究如何通过正确地选择最小反射所处的波长来提高减反膜的功效，实际起作用的反射率尽可能的低。同时还将研究由于非对称性而引起的LD特性的变化，这对通过镀减反膜扩大镀减反膜的半导体激光二极管应用范围及优化相关器件具有重要价值。本课题采用的射线法对多段式半导体激光器端面输出谱进行了研究，该种方法自发辐射是产生于有源层内各点这一物理事实，同时还以递推公式的形式给出了nSLD输出谱的解析表...
用于半导体激光器的温控仪
半导体激光器 温控仪
2008/8/22
这种用于半导体激光器的温控仪的结构为：预置温度电位器通过放大器和调零电位器及温度感应电路通过第一差分放大器与第二差分放大器相连，第二差分放大器经过正反向跟随放大器和含有两只场效应管的电流放大控制电路连接到第三差分放大器和反馈电路，第三差分放大器通过电流控制电路连接到致冷器。由于反馈电路的反馈电流由电流控制电路提供，因而具有致冷速度快，稳定可靠的优点。
用于泵浦固体激光器的大功率半导体激光材料及器件实用化研究
激光器 半导体激光器 泵浦激光器阵列 放大器
2008/8/22
该项目主要成果有：研制出高质量808nm大功率半导体激光器材料：波长(808.7±3)nm，阈值电流密度300-400A/cm^2，2英寸材料生长均匀性比较好，具备提供小批量激光器单管所需材料的能力；研制出高质量808nm大功率半导体激光器单管：室温连续工作，波长(808.7±3)nm，1W工作寿命超过3000小时，1.5W工作寿命超过2000小时；研制出高质量808nm大功率半导体激光器阵列：室...
经过外延生长和腐蚀分离后，直径为1~10 µm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦，对该类器件均实现了脉冲和连续激射，输出波长在1.5~1.525 µm之间，在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109 µW，激射波长随着热效应增加而呈现红移现象。该类器件在未来全光网络和集成光路中具有良好的应用前景。