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中国科学院半导体材料科学重点实验室2007年前授权发明专利。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2010年度发表SCI论文目录。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2009年度发表论文目录。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2008年发表论文目录。
中国科学院半导体材料科学重点实验室2007在国际刊物上发表的论文。
中国科学院半导体材料科学重点实验室
中国科学院半导体材料科学重点实验室 半导体材料
2014/3/27
中国科学院半导体材料科学重点实验室是1990年9月15日经中国科学院批准，1991年3月正式向国内外开放的院级重点实验室。前三届学术委员会主任分别为林兰英院士、蒋民华院士、王占国院士；实验室第一、二届主任为王占国院士，第三届主任为陈诺夫研究员，第四-五届主任为陈涌海研究员，现任实验室主任为刘峰奇研究员。
中国科学院半导体研究所发现一种新的二维半导体材料——ReS2（图）
半导体 二维半导体材料 ReS2
2014/2/19
最近，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室由中美联合培养的博士后Sefaattin Tongay等人在吴军桥教授、李京波研究员、李树深院士的团队中，在二维ReS2 材料基础研究中取得新进展，发现ReS2 是一种新的二维半导体材料。相关成果发表在2014年2月6日的《自然-通讯》上，即Nature Communication, 2014,5, Article number:3252, doi:...
中国科学院半导体研究所常凯研究组，提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功的证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用有向前推进了一步。
由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办，西安交通大学微电子系、西安交通大学电子科学与技术系、陕西省信息光子技术重点实验室和西安交通大学-中国科学院半导体研究所信息功能材料与器件联合实验室承办的“第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议”定于2010年10月25-29日在古城西安召开。召开这次会议的目的是为全国在本领域从事研究、教学、生产的科技人员和管理人员提供一个...
基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管
薄膜晶体管 氧化锌 氧化铟 氧化钛
2014/3/28
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49 ∶ 49 ∶ 2。所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。
上海有机所n型有机半导体材料研究取得重要进展（图）
上海有机所 n型 有机半导体材料
2010/4/2
近年来，有机薄膜场效应晶体管（OTFT）因其在轻薄、可弯折、个性时尚的有机电子产品方面有广阔的应用前景，成为有机电子学中的研究热点。p型和n型有机半导体材料对于OTFT的发展同等重要，因为由p型和n型OTFT共同构筑的有机互补电路具有功耗低、操作速度快、噪音容限大等优点，可广泛用于各种有机数字电路，是实现有机电子器件应用的基础。然而，目前n型有机半导体材料的发展远远落后于p型有机半导体材料，具有高...
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第一章 半导体材料及二极管1.3。
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第一章 半导体材料及二极管1.2。
电子科技大学光电信息学院模拟电路基础课件第一章 半导体材料及二极管1.1。