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GaAs MESFET外延层中载流子浓度分布及漂移迁移率分布的实验测定
GaAs MESFET 载流子浓度 漂移迁移率
2008/10/27
提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外延材料的实验结果.证明n(h)和μ(h)是表征外延层质量的两个重要的参数.并且发现:不同类型的迁移率分布对应于不同的栅电容弛豫.指出用稳态高频栅电容C_g~*-V_g关系求得的是表观载流子浓度分布n~*(h)和表观迁移率分布μ~*(h).它们同...
亚微米GaAs MESFET二维数值模拟
半导体物理 半导体器件 模拟 数值分析
2009/12/29
本文用计入热电子效应的动量能量守恒模型讨论了亚微米GaAs MESFET二维数值模拟。为了减少计算量进行了模型简化和算法选择。文中给出并分析了三种典型器件的模用范果,根据模拟结果,研究了小尺寸器件中的速度过冲效应并得出常规的漂移扩散模型的适拟结围。
A Comparison Between GaAs Mesfet and Si NMOS ESD Behaviour
GaAs Mesfet Si NMOS ESD Behaviour
2010/12/21
Work is in hand at Loughborough University to investigate and compare the ESD sensitivity of GaAs D-MESFETs and unprotected enhancement mode NMOS structures.The work to date has shown that GaAs MESFET...