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搜索结果: 1-3 共查到半导体器件与技术 HEMT相关记录3条 . 查询时间(0.072 秒)
2023年11月10日,温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus系列硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延产品。行业客户、知名投资机构争相了解合作。
中国科学院微电子研究所专利:HEMT器件及其制造方法
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验,研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直 流参数的变化.对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析,确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火 温度为500℃,退火时间为5min.该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8. 9%,肖特基栅反向漏电流减小2个数量级,阈值...

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