搜索结果: 1-9 共查到“半导体技术 MEMS”相关记录9条 . 查询时间(0.077 秒)
振动能量采集器因其可代替电池，收集环境中振动能为IOT设备提供能源，近年来受到广泛关注。而在IOT设备应用的典型场景-工业环境中，高温度及高湿度极端环境无处不在。静电型振动能量采集器内部预充电电荷受极端环境影响容易衰减，这对能量采集器的大规模应用造成极大挑战。针对这一问题，南方科技大学深港微电子学院汪飞副院长率领团队研发了一款基于MEMS技术制造的，集成了硅针尖阵列的电荷可修复型静电能量采集器。当...
基于宽禁带氧化物半导体薄膜材料的MEMS传感器研发（图）
宽禁带氧化物半导体薄膜材料 MEMS传感器
2022/5/30
2021年12月第一届全国博士后创新创业大赛在广东省佛山市举办，中山大学博士后青年英才积极组队参加，展现了中山大学博士后队伍建设的蓬勃气象。本届大赛以“博采科技精华 创新引领未来”为主题，共设创新赛、创业赛、海外（境外）赛和揭榜领题赛等四个组别，约1400个项目以路演和答辩为主要展示形式，线下现场赛和线上云参赛相结合，经过3天的激烈角逐，我校代表团共获得1个银奖、3个铜奖、8个优胜奖的好成绩。
研究人员制备成功RF MEMS振荡器（图）
研究人员 制备 RF MEMS振荡器
2014/1/8
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心，在自然科学基金、中科院项目的支持下，经过努力探索，制备成功RF MEMS振荡器。
半导体所在MEMS器件低成本圆片级低温键合方法的研究方面取得重要进展（图）
封装 研究方面
2011/11/7
封装是微纳机电系统（MEMS/NEMS）产业化前最后的但决定器件成败的最关键的一步加工技术，最近几年已经引起了越来越多的关注。当前国际上MEMS/NEMS较为成熟的封装工艺为键合工艺，几个发展比较成熟的键合都需要在高温条件下进行。高温会对MEMS传感器产生不良的影响，造成器件不稳定甚至失效。因此，急需开发适用于MEMS传感器的低温键合工艺。近几年，随着生化传感器和射频器件的快速发展，对低温键合封装...
宽带直接接触式RF MEMS开关
射频微机电开关 直接接触式 宽带 宽驱动电压
2014/5/14
本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关，包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区，兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关，使用低温表面微机械工艺，制作在400μm厚的高阻硅衬底上，芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明，在6GHz频点，开关本征损耗0.1dB，隔离度24.8dB，等效开关接触电阻0.6Ω，关态电容6.4f...
MEMS层叠式毫米波天线设计
微机械 微带天线 有限宽地共面波导-微带馈线 口径耦合天线 带宽
2014/5/15
为了提高天线带宽，改善天线性能，文中提出并设计了一种基于微机械工艺的层叠式口径耦合毫米波天线，该天线中心频点为35GHz，利用有限宽地共面波导—微带（FGCPW—MS）进行馈电。分析天线结构中的几个关键参数对天线带宽性能的影响，利用HFSS三维电磁场仿真软件进行天线模型仿真。结果表明，该天线带宽为11.8%，增益为7.8dB，天线辐射效率为71%。与传统微带天线相比，该天线在带宽、增益等方面均到改...
Ka波段硅基MEMS滤波器
MEMS滤波器 耦合 基片集成波导 Ka波段
2014/5/15
滤波器是微波毫米波电路中的一个重要部件，本文介绍了采用基片集成波导技术和ICP深刻蚀微机械通孔阵列的硅基MEMS滤波器。设计制作了MEMS滤波器的核心部件谐振器，测试结果显示该谐振器无载Q值大于180，频率误差控制在2%以内。以此为基础采用理论计算与实验设计相结合的方法设计了一个Ka波段硅基MEMS滤波器。滤波器中心频率为30.3GHz，插入损耗1.5dB，相对带宽5%。芯片尺寸为10.0mm×2...
MEMS器件与IC电路集成化技术研究
MEMS器件 IC电路 集成化技术
2008/12/29
本课题选用真空微电子压力传感器阵列为实例，将集成电路的平面加工工艺和MEMS器件的三维体加工工艺进行了一体化的集成技术研究。获得了IC电路功能正常、压力传感器有压敏反应的实验样品，研究结果表明一体化的集成技术是成功的。通过本课题的研究取得了如下研究成果：在国内首次突破了硅微三维体加工和表面IC加工的一体化三维集成化技术。在带图形的硅-硅键合研究中，成功地研制出实用的真空键合设备。本专题中的很多关键...