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搜索结果: 1-1 共查到半导体技术 InGaAsP相关记录1条 . 查询时间(0.067 秒)
经过外延生长和腐蚀分离后,直径为1~10 µm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦,对该类器件均实现了脉冲和连续激射,输出波长在1.5~1.525 µm之间,在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109 µW,激射波长随着热效应增加而呈现红移现象。该类器件在未来全光网络和集成光路中具有良好的应用前景。

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