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近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。碳化硅电力电子器件，特别是SiC MOSFET器件是下一代高效电力电...
Study on determination of parasitic resistances in SiC MESFET’s
Extract the source drainage door parasitic resistance parasitic resistance resistance measurement
2014/12/31
This paper presents a simple analytical method for extracting the source, drain and gate parasitic resistances. The proposed method is based on the three simple DC measurements. The parasitic resistan...
1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究
碳化硅 功率MOSFET 非钳位重复应力 退化
2017/1/4
本文首次研究了1.2kV碳化硅(Silicon Carbide,SiC)MOSFET在非钳位重复应力(Unclamped Repetitive Stress,URS)应力下的退化现象,并通过软件仿真和电荷泵测试技术对该现象进行了深入的分析.研究结果表明:URS应力会使得器件积累区由于碰撞电离产生大量的电子空穴对,其中的热空穴将在电场的作用下注入到氧化层中,使氧化层中出现许多空间正电荷,这些空间正电...
大尺寸SIC空间反射镜离子束加工热效应分析与抑制
空间反射镜 离子束加工 热效应 抑制
2016/8/24
离子束加工中从离子源射出的高速离子撞击光学反射镜表面，离子的动能转化成热能以及中和灯丝的热辐射作用，使反射镜温度急剧升高。反射镜温升过快，会导致柔性连接结构胶结部位发生不可逆的非线性变化，并且热膨胀使实际加工位置和理想加工位置发生偏移，增加了加工误差，因此需要对加工过程中产生的热效应进行抑制。提出了通过规划加工路径和增强散热的方法，增强加工过程的散热，控制反射镜的温度。针对600 mm×260 m...
多天线系统中基于QR分解的混合SIC/PIC检测
垂直分层空时码 QR分解 连续干扰消除 并行干扰消除
2013/5/7
提出了一种有效并且数值稳定的、基于QR分解的垂直分层空时码(vertical layered space-time code, V-BLAST)检测算法。在信道矩阵QR分解得到的上三角矩阵中，先检测的信号具有更高的分集度，然而传统的基于QR分解的算法由于没有利用这种潜在的分集，通常性能要低于其他连续干扰消除（successive interference cancellation, SIC）算法...
为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal鄄oxide鄄semiconductor) OPAMP(operational amplifier),对PMOST(P鄄type metal鄄oxide鄄semiconductor transistor)输入标准6H鄄SiC CMOS 两级运算放大器的高温 等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice 仿真. 仿真...
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜，研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响；探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析，得到最佳工艺条件的碳化温度为1 000 ℃，碳化时间为5 min，生长温度为1 200 ℃，生长速度为4 µm/h。对最佳工艺条件下得到的外延层的台阶...
6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析
碳化硅 补偿电流源 冻析效应
2009/2/1
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应，对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正，分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因．结果表明：界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小；漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素，且缺陷密度越大，该值随温度增长的速度越快．
据日经BP社报道，住友金属工业综合技术研究所在全球首次开发出从Si（硅）Ti（钛）等金属组成的高温熔液中制备SiC（碳化硅）单晶的熔液生长法，生长速度已接近实用水平。SiC与Si相比，由于更加耐高压、耐高温，因此可制造小型高效的功率元件。如果将混合动力车和电动汽车使用的功率元件由Si换成SiC制造的话，便可减少能源消耗量和CO2排放量。要达到实用阶段，需实现大口径、结晶缺陷较少的单晶晶圆。
Prospects of 4H-SiC Double Drift Region IMPATT Device as a Photo-Sensitive High-Power Source at 0.7 Terahertz Frequency Regime
4H-SiC Double Drift Region IMPATT Device a Photo-Sensitive High-Power Source 0.7 Terahertz Frequency Regime
2010/12/6
The dynamic performance of wide-bandgap 4H-SiC based double drift region (p++ p n n++) IMPATT diode is simulated for the first time at terahertz frequency (0.7 Terahertz) region. The simulation experi...
法国调查公司预测：SiC功率半导体市场10年内将超过1100亿日元
预测 功率 市场
2011/11/1
法国YOLE DEVELOPPEMENT公司预测，SiC功率半导体的全球市场规模2016年将超过10亿美元（约1160亿日元）。这相当于同时期功率半导体市场的2％强。
Optical Response Study of the Al/a-Sic:H Schottky Diode for Different Substrate Temperatures of the R.F. Sputtered a-Sic:H Thin Film
Schottky diode Optical sensor Heterojunction Diffusion length
2010/12/7
In the present work, Schottky diodes of Al/a-SiC:H included in the structure Al/a-SiC:H/c-Si(n)/Al were fabricated and their optical response was studied in the wavelength region from 350 nm up to 100...
The a-SiC/c-Si(n) Isotype Heterojunction as a High Sensitivity Temperature Sensor
Heterojunction temperature sensors microelectronic devices
2010/12/10
The a-SiC/c-Si(n) isotype heterojunction has been studied as a temperature sensor by measuring its reverse current-voltage (IR−V) and reverse voltage-temperature (V-T) characteristics, as well a...