搜索结果: 1-11 共查到“电子技术 IGBT”相关记录11条 . 查询时间(0.094 秒)
IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
实现快速故障保护的IGBT驱动电路
HCPL-316J IGBT驱动电路 故障保护
2016/5/23
针对较复杂的变流系统中，主控系统的延滞会影响IGBT模块故障保护失败的问题，设计一种快速故障保护的IGBT驱动电路。分析了现有应用方式存在HCPL-316J两个输入端中的另一个端子的功能没有得到充分利用的缺陷，通过对HCPL-316J的信号输入端Vin+、Vin-和故障信号反馈端FAULT的应用研究，改进为FAULT信号反馈回另一个输入端子，光耦芯片故障信号发出后立即封锁IGBT驱动信号，完全消除...
中国科学院微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破（图）
中国科学院微电子所 6500V超高压 IGBT研制 重要突破
2011/10/20
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场截止型）产品，在国际知名晶圆代工厂“华虹NEC”8吋制造工艺平台上首轮流片顺利完成，测试结果显示阻断电压达7100V以上，符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电...
微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破（图）
微电子所 研制 突破
2011/10/28
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场截止型）产品，在国际知名晶圆代工厂“华虹NEC”8吋制造工艺平台上首轮流片顺利完成，测试结果显示阻断电压达7100V以上，符合原定设计目标。该阶段性成果标志着微电...
微电子所1700V IGBT研制首次流片取得突破（图）
1700V IGBT研制 流片 突破
2011/10/28
近期，由中国科学院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)朱阳军副研究员带领的IGBT团队在1700V IGBT研制方面取得了突破性进展。
近期，由中科院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)朱阳军副研究员带领的IGBT团队在1700V IGBT研制方面取得了突破性进展。
微电子所成功研制国内首款可产业化的IGBT芯片（图）
可产业化 芯片
2011/11/4
日前，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是国内首款自主研制可产业化的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。
中国科学院微电子研究所成功研制国内首款可产业化IGBT芯片（图）
中国科学院 国内首款 IGBT芯片
2010/4/2
日前，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外同类产品。这是国内首款自主研制可产业化的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品，标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破，拥有了第一条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。
IGBT器件的制造和工艺技术
IGBT器件 半导体工艺 绝缘柵双极晶体管 双极型晶体管
2008/12/22
成果内容简介：“IGBT研究”包括IGBT器件与工艺的CAD研究、IGBT芯片主要制作技术研究’、IGBT测试技术研究、IGBT封装技术研究4个部分。完成并攻克IGBT器件的制造和工艺技术，对IGBT器件终端电场的二维结构进行分析，元胞结构进行优化设计；IGBT器件的全套工艺技术、测试技术(综合测试台1套)、封装技术，制作出500只性能良好的IGBT器件。IGBT器件可广泛用于变频调速，电焊，UP...
功率器件IGBT串联的移相控制技术
2007/7/28
期刊信息
篇名
功率器件IGBT串联的移相控制技术
语种
中文
撰写或编译
作者
付志红,苏向丰,周雒维
第一作者单位
刊物名称
重庆大学学报
页面
2003,Vol.26(2),pp113-116
出版日期
2003年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
单周控制在电力谐波治理中的理论和应用研究