搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 半导体材料”相关记录224条 . 查询时间(3.615 秒)
中国科学院国家纳米中心在利用电子顺磁共振技术测量分子构象方面取得进展（图）
纳米 测量 分子 半导体材料
2024/4/26
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命，在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力，其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础，而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
《自然·通讯》报道南京工业大学王琳教授团队二维材料生长新进展
自然·通讯 王琳 二维材料
2024/4/16
近日，南京工业大学柔性电子（未来技术）学院王琳教授团队与北京师范大学朱重钦教授团队在《自然·通讯》（Nature Communications）上发表题为“Growth of millimeter-sized 2D metal iodide crystals induced by ion-specific preference at water-air interfaces”的研究论文。我校硕士毕...
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
2024/3/15
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 （或开关比）是衡量隧道结性能的核心指标。2005年，理论模型提出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
中国科学院化学所在制备强荧光二维共轭聚合物半导体材料方面获进展
聚合物 半导体材料 光电性能
2024/3/15
二维共轭聚合物（2DCPs）是一类新型的半导体材料体系。2DCPs独特的拓展二维共轭结构，预示着优异的光电特性，在有机电子学领域颇具应用前景。然而，目前报道的多数2DCPs材料的光电性能相对较差，以及具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的报道较少。该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重，导致其不发光或者荧光特性差。
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应（图）
铁电极化 半导体 界面
2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
中国科学院宁波材料所等在sp2碳共轭有机框架材料构筑方面获进展（图）
有机框架材料 半导体材料
2024/1/26
二维共价有机框架（2D COFs）聚合物作为新一代有机半导体材料，具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点，在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物（sp2c-COFs）凭借拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性，成为COFs领域研究前沿方向。然而，有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性，导致sp2c-COFs合成困难并限...
宁波材料所在sp2碳共轭有机框架聚合物新材料设计制备方面取得重要进展（图）
有机框架 聚合物 半导体材料
2024/1/16
二维共价有机框架（2D COFs）聚合物作为新一代有机半导体材料，具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点，在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出广阔的应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物（sp2c-COFs）凭借其拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性，成为COFs领域研究前沿方向。然而，有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性导致sp2c-COFs合成困...
中国科学技术大学物理学院、合肥微尺度物质科学国家研究中心、国际功能材料量子设计中心赵瑾教授、郑奇靖副教授基于自主知识产权的计算软件Hefei-NAMD，研究了锐钛矿TiO2中的亮-暗激子转化的动力学过程，揭示了多体效应在其中起到的重要作用。最近，该成果以“Ultrafast many-body bright-dark exciton transition in anatase TiO2”为题，发表...
2023年12月1日，中国科学院合肥物质院固体所研究人员在新型 Heusler 热电材料探索方面取得新进展，设计出具有类似魔方结构的 Slater-Pauling (S-P) Heusler 材料，阐释了该体系在独特的类魔方结构中展现出半导体热电性能的原因，为热电材料的进一步开发提供了候选材料。相关研究结果发表在 Physical Review B 上。
2023年11月21日下午，浙江省人民政府对第一届浙江省知识产权奖获奖单位进行了表彰，专利“一种低损耗纳米晶软磁合金的制备方法”（专利号：ZL201811235042.8，发明人：贺爱娜、董亚强、黎嘉威、肖恢芸、李润伟）荣获发明专利一等奖，是宁波市唯一获得该类奖项的专利。该成果由中国科学院宁波材料技术与工程研究所牵头开展创新研究，在宁波磁性材料应用技术创新中心有限公司、宁波中科毕普拉斯新材料科技有...
为大力弘扬科学家精神，涵养优良学风，营造创新氛围，中国科学院组织开展2023年中国科学院年度人物和年度团队评选活动，集中展示新时代涌现出的先进典型，引导干部职工对标身边榜样，心系“国家事”、肩扛“国家责”，切实履行国家战略科技力量主力军的职责使命，以科技创新实践谱写科学家精神新篇章。2023年的评选工作于2023年10月初启动，经所党委推荐，中国科学院有关部门组织专家初评和评审委员会复评，产生了1...
2023年11月15日，在第25届高交会上，高性能芯片设计与制造院士论坛暨重大项目签约活动在茉莉厅举行。会上，深圳先进院与合作代表完成14个重大项目现场签约。在签约仪式现场，深圳先进院围绕集成电路领域，积极推动高端集成电路先进封装材料产业发展，与深圳市重大产业投资集团有限公司合作，共同推动半导体产业发展，进一步加快集成电路材料国产化替代，带动产业能级整体跃迁。
中国科学院化学所在新型有机偏振发光晶体管研究中取得进展（图）
半导体材料 晶体管器件 光电集成
2023/11/6
有机发光晶体管（OLETs）是兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，具有制备工艺简单、集成更容易等优势，被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时，OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了良好的研究平台。此外，OLETs作为一种可发光的晶体管器件，克服了传统晶体管存在可输入信号类型多，但...
中国科学院半导体所设计出超高自旋轨道矩效率的反演对称破缺超晶格（图）
中国科学院 半导体所 自旋轨道 矩效率 超晶格 Nano Letters
2023/11/23
中国科学院半导体研究所的朱礼军研究员团队提出了“反演对称破缺的自旋轨道矩超晶格“的概念，并预言此类超晶格的自旋轨道矩效率应随超晶格周期数n线性增长直至无穷大。然而，实验发现[Pt/Co/MgO]n超晶格中存在自旋霍尔角、磁化强度、电阻率、平整度随重复周期数增大而衰退的现象，最高实现了56%的自旋轨道矩效率 [Physical Review Applied 18, 064052 (2022)]。
上海微系统所阐明砷在双向阈值开关中的作用机制（图）
毒性元素 半导体 材料砷化镓
2023/12/3
砷（As）是一种高毒性元素，但长期以来一直被广泛用于半导体制造: 通过将砷注入硅衬底制造N型半导体; 同时，砷也是第二代半导体的标志性材料砷化镓的主要成分。此外，砷在相变存储器（PCM）的发现、开发和最终商业化过程有着不可或缺的作用，而相变存储器是一种新兴的存储器技术、，可填补现代计算机中闪存和内存之间的巨大性能鸿沟。早在 1964 年，Northover 和 Pearson 就在砷基铬化物（即 ...